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Liquid phase epitaxy 방법에 의한 Si 및 InP 기판 상의 GaAs 박막성장 및 특성 평가
상세 프로파일
상세정보
자료유형 | 학위논문 |
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서명/저자사항 | Liquid phase epitaxy 방법에 의한 Si 및 InP 기판 상의 GaAs 박막성장 및 특성 평가= Liquid phase epitaxial growth and characterization and GaAs layers on Si and InP substrates/ 金東根. |
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개인저자 | 김동근.
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단체저자명 | 전남대학교. 대학원. 금속공학과.
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발행사항 | 광주: 全南大學校, 1994. |
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형태사항 | xiv,160장: 삽화,도판; 26cm. |
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학위논문주기 | 학위논문(박사) -- 전남대학교 대학원:금속공학과,1994 |
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비통제주제어 | LIQUID,PHASE,EPITAXY,SI,INP,기판,상의,GAAS,박막성장,EPITAXIAL,GROWTH,CHARACTERIZATION,LAYERS,SUBSTRATES |
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분류기호(DDC) | 620.14
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언어 | 한국어 |
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