| LDR | | 01117nam ac200265 c 4500 |
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| 012 | |
▼a KDM199418846 |
| 040 | |
▼a 224010
▼d SMUL123
▼c 224010
▼d 224010 |
| 041 | 0 |
▼a kor
▼b eng |
| 082 | 04 |
▼a 620.14
▼2 19 |
| 090 | |
▼a 620.14
▼b 김225ㄹㅈ
▼c 1994 |
| 093 | 1 |
▼a 9037281
▼v 1994
▼x TD
▼y ZP
▼a 9056037
▼c c.2
▼v 1994
▼x TD
▼y ZU |
| 100 | 1 |
▼a 김동근. |
| 245 | 10 |
▼a Liquid phase epitaxy 방법에 의한 Si 및 InP 기판 상의 GaAs 박막성장 및 특성 평가=
▼x Liquid phase epitaxial growth and characterization and GaAs layers on Si and InP substrates/
▼d 金東根. |
| 260 | |
▼a 광주:
▼b 全南大學校,
▼c 1994. |
| 300 | |
▼a xiv,160장:
▼b 삽화,도판;
▼c 26cm. |
| 502 | 1 |
▼a 학위논문(박사) --
▼b 전남대학교 대학원:
▼c 금속공학과,
▼d 1994 |
| 653 | |
▼a LIQUID
▼a PHASE
▼a EPITAXY
▼a SI
▼a INP
▼a 기판
▼a 상의
▼a GAAS
▼a 박막성장
▼a EPITAXIAL
▼a GROWTH
▼a CHARACTERIZATION
▼a LAYERS
▼a SUBSTRATES |
| 710 | |
▼a 전남대학교.
▼b 대학원.
▼b 금속공학과. |
| 856 | 41 |
▼u http://168.131.53.92/cnud/CNU90E-90F/94-156.tif |
| 950 | 0 |
▼a 비매품 |