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薄膜 SOI n-MOSFET의 I-V 特性 및 素子 構造 改善에 관한 硏究
상세 프로파일
상세정보
자료유형 | 학위논문 |
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서명/저자사항 | 薄膜 SOI n-MOSFET의 I-V 特性 및 素子 構造 改善에 관한 硏究= (A)study on the I-V characteristics and an advanced device structure in thin film SOI n-MOSFET/ 金賢哲. |
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개인저자 | 김현철.
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단체저자명 | 인하대학교. 대학원. 전자공학과.
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발행사항 | 인천: 仁荷大學校, 1995. |
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형태사항 | xvi,113장: 삽화,도판; 26cm. |
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학위논문주기 | 학위논문(박사) -- 인하대학교 대학원:전자공학과 전자통신공학전공,1995 |
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비통제주제어 | 박막,소자 |
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분류기호(DDC) | 621.38
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언어 | 한국어 |
소장정보
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No. |
등록번호 |
청구기호 |
소장처 |
밀집번호 |
도서상태 |
반납예정일 |
예약 |
서비스 |
매체정보 |
1 |
9021949 |
TD 621.38 김94ㅂㅇ 1995 |
중앙도서관[별관]/보존자료실/
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Y3104274 |
대출불가(별치) |
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