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저온 원격 PECVD법에 의한 InSb 단결정상의 SiO₂박막 형성
상세 프로파일
상세정보
자료유형 | 학위논문 |
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서명/저자사항 | 저온 원격 PECVD법에 의한 InSb 단결정상의 SiO₂박막 형성= Formation of SiO₂ thin films on single crystalline InSb by low temperature remote PECVD/ 李在坤. |
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개인저자 | 이재곤.
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단체저자명 | 경북대학교. 대학원. 전자공학과.
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발행사항 | 대구: 慶北大學校, 1997. |
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형태사항 | 121p.: 삽화; 26cm. |
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학위논문주기 | 학위논문(박사) -- 경북대학교 대학원:전자공학과 반도체공학전공,1997 |
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비통제주제어 | 저온원격,PECVD법,INSB,단결정,SIO₂,박막,FORMATION,THIN,FILMS,SINGLE,CRYSTALLINE,LOW,TEMPERATURE,REMOTE,PECVD |
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분류기호(DDC) | 621.38
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언어 | 한국어 |
소장정보
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No. |
등록번호 |
청구기호 |
소장처 |
밀집번호 |
도서상태 |
반납예정일 |
예약 |
서비스 |
매체정보 |
1 |
9021620 |
TD 621.38 이72ㅈㄱ 1997 |
중앙도서관[별관]/보존자료실/
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Y2026826 |
대출불가(별치) |
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