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components, circuits, devices and systems
(229)
engineered materials, dielectrics and plasmas
(178)
mosfets
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주제
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Name
components, circuits, devices and systems
(
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engineered materials, dielectrics and plasmas
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mosfets
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mosfet
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mathematical model
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analytical models
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stress
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communication, networking and broadcast technologies
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degradation
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mobility
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modeling
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semiconductor process modeling
(
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dielectrics
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nonvolatile memory
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substrate hot electron injection
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doping
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physics
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threshold voltage
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ballistic transport
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cmos technology
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computational modeling
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ieee transactions on electron devices, electron devices, ieee transactions on, ieee trans. electron devices
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ieee transactions on electron devices, electron devices, ieee transactions on, ieee trans. electron devices
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ieee transactions on electron devices
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solid state electronics
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2008 9th international conference on ultimate integration of silicon
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applied physics letters
(
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international electron devices meeting 1998 technical digest (cat no98ch36217)
(
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international journal of high speed electronics & systems
(
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nuclear inst. and methods in physics research, a
(
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(
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2001 international semiconductor device research symposium. symposium proceedings (cat. no.01ex497)
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2009 ieee international electron devices meeting (iedm)
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2009 proceedings of the european solid state device research conference
(
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2011 ieee international electron devices meeting (iedm)
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digest. international electron devices meeting
(
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essderc 2008 - 38th european solid-state device research conference
(
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essderc '94: 24th european solid state device research conference
(
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iedm technical digest. ieee international electron devices meeting, 2004
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international electron devices meeting 1991 technical digest
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ieee-inst electrical electronics engineers inc
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elsevier b.v.
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From Finite Element Simulations to Equivalent Circuit Models of Extracellular Neuronal Recording Systems Based on Planar and Mushroom Electrodes
학술저널
issue
IEEE Transactions on Biomedical Engineering IEEE Trans. Biomed. Eng. Biomedical Engineering, IEEE Transactions on. 71(4):1115-1126 Apr, 2024
Author
Leva, F.
Verardo, C.
Palestri, P.
Selmi
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조회 - Impact Factor (JCR)
2
Characterization and Advanced Modeling of Dielectric Defects in Low-Thermal Budget RMG MOSFETs Using 1/f Noise Analysis
학술저널
issue
IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(3):1745-1751 Mar, 2024
Author
Asanovski, R.
Arimura, H.
de Marneffe, J.
Palestri, P.
Horiguchi, N.
Kaczer, B.
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Franco, J.
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조회 - Impact Factor (JCR)
3
Probing Band Tail States in MOSFETs at Cryogenic Temperatures through Noise Spectroscopy
회의자료
issue
2023 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF) Noise and Fluctuations (ICNF), 2023 International Conference on. :1-4 Oct, 2023
Author
Asanovski, R.
Grill, A.
Franco, J.
Palestri, P.
Li, R.
Kubicek, S.
De Greve, K.
Kaczer, B.
Selmi
,
L
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DB Label
Database : IEEE Xplore Digital Library
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4
Toward Continuous Nano-Plastic Monitoring in Water by High Frequency Impedance Measurement With Nano-Electrode Arrays
학술저널
issue
IEEE Sensors Journal IEEE Sensors J. Sensors Journal, IEEE. 23(17):20180-20188 Sep, 2023
Author
Goldoni, D.
Rovati,
L
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Selmi
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.
DB Label
Database : IEEE Xplore Digital Library
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조회 - Impact Factor (JCR)
5
Understanding the Excess 1/f Noise in MOSFETs at Cryogenic Temperatures
학술저널
issue
IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 70(4):2135-2141 Apr, 2023
Author
Asanovski, R.
Grill, A.
Franco, J.
Palestri, P.
Beckers, A.
Kaczer, B.
Selmi
,
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Database : IEEE Xplore Digital Library
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등재 - SCOPUS
조회 - Impact Factor (JCR)
6
Accurate Nonlocal Impact Ionization Models for Conventional and Staircase Avalanche Photodiodes Derived by Full Band Monte Carlo Transport Simulations
학술저널
issue
IEEE Journal of Quantum Electronics IEEE J. Quantum Electron. Quantum Electronics, IEEE Journal of. 58(5):1-11 Oct, 2022
Author
Pilotto, A.
Esseni, D.
Selmi
,
L
.
Palestri, P.
DB Label
Database : IEEE Xplore Digital Library
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조회 - Impact Factor (JCR)
7
Selectivity, Sensitivity and Detection Range in Ion-Selective Membrane-Based Electrochemical Potentiometric Sensors Analyzed With Poisson-Boltzmann Equilibrium Model
학술저널
issue
IEEE Sensors Journal IEEE Sensors J. Sensors Journal, IEEE. 22(15):15010-15021 Aug, 2022
Author
Mele,
L
.J.
Palestri, P.
Alam, M.A.
Selmi
,
L
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조회 - Impact Factor (JCR)
8
Modeling Non-Equilibrium Ion-Transport in Ion-Selective-Membrane/Electrolyte Interfaces for Electrochemical Potentiometric Sensors
학술저널
issue
IEEE Sensors Journal IEEE Sensors J. Sensors Journal, IEEE. 22(13):12987-12996 Jul, 2022
Author
Mele,
L
.J.
Palestri, P.
Selmi
,
L
.
Alam, M.A.
DB Label
Database : IEEE Xplore Digital Library
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조회 - Impact Factor (JCR)
9
Importance of Charge Trapping/Detrapping Involving the Gate Electrode on the Noise Currents of Scaled MOSFETs
학술저널
issue
IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 69(3):1313-1320 Mar, 2022
Author
Asanovski, R.
Palestri, P.
Selmi
,
L
.
DB Label
Database : IEEE Xplore Digital Library
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10
New insights on the excess 1/f noise at cryogenic temperatures in 28 nm CMOS and Ge MOSFETs for quantum computing applications
회의자료
issue
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM) Electron Devices Meeting (IEDM), 2022 International. :30.5.1-30.5.4 Dec, 2022
Author
Asanovski, R.
Grill, A.
Franco, J.
Palestri, P.
Beckers, A.
Kaczer, B.
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Database : IEEE Xplore Digital Library
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