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industrial contamination
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mathematical models
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monte carlo method
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tunnel design & construction
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physics
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ieee transactions on electron devices, electron devices, ieee transactions on, ieee trans. electron devices
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ieee transactions on electron devices
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간행물
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ieee transactions on electron devices, electron devices, ieee transactions on, ieee trans. electron devices
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applied physics letters
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ieee transactions on electron devices
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journal of applied physics
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2015 73rd annual device research conference (drc)
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2015 73rd annual device research conference (drc), device research conference (drc), 2015 73rd annual
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ieee electron device letters, electron device letters, ieee, ieee electron device lett.
(
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journal of computational electronics
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2009 international conference on simulation of semiconductor processes and devices, simulation of semiconductor processes and devices, 2009. sispad '09. international conference on
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2016 74th annual device research conference (drc), device research conference (drc), 2016 74th annual
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2016 ieee international electron devices meeting (iedm), electron devices meeting (iedm), 2016 ieee international
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2017 75th annual device research conference (drc), device research conference (drc), 2017 75th annual
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future trends in microelectronics : reflections on the road to nanotechnology
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low-dimensional electronic systems : new concepts
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microelectronic engineering
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nasecode vi (dublin, 1989)
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physica e: low-dimensional systems and nanostructures
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physical review b: condensed matter & materials physics
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simulation of semiconductor devices and processes : vol.5
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Double bilayer graphene-WSe2 resonant tunneling heterostructures with high interlayer current densities and peak-to-valley ratios
회의자료
issue
2017 75th Annual Device Research Conference (DRC) Device Research Conference (DRC), 2017 75th Annual. :1-2 Jun, 2017
Author
Burg, G. W.
Fallahazad, B.
Kim, K.
Prasad, N.
Taniguchi, Takashi
Watanabe, Kenji
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Tutuc, E.
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Full Text (IEEE)
2
Insights into interlayer tunnel FET performance improvement: Lessons learned from graphene hexagonal boron nitride heterostructures
회의자료
issue
2016 74th Annual Device Research Conference (DRC) Device Research Conference (DRC), 2016 74th Annual. :1-2 Jun, 2016
Author
Kang, S.
Prasad, N.
Movva, H. C. P.
Rai, A.
Kim, K.
Taniguchi, T.
Watanabe, K.
Register
,
L
.
F
.
Tutuc, E.
Banerjee, S. K.
DB Label
Database : IEEE Xplore Digital Library
원문보기
Full Text (IEEE)
3
Modulation-doped gate-normal tunnel FET for improved turn-on abruptness
회의자료
issue
2015 73rd Annual Device Research Conference (DRC) Device Research Conference (DRC), 2015 73rd Annual. :103-104 Jun, 2015
Author
Hsu, W.
Mantey, J.
Register
,
L
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Banerjee, S. K.
DB Label
Database : IEEE Xplore Digital Library
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Full Text (IEEE)
4
Gate tunable resonant tunneling in graphene-based heterostructures and device applications
회의자료
issue
2015 73rd Annual Device Research Conference (DRC) Device Research Conference (DRC), 2015 73rd Annual. :269-270 Jun, 2015
Author
Tutuc, E.
Fallahazad, B.
Kang, S.
Lee, K.
Kim, K.
Movva, H. C. P.
Mou, X.
Corbet, C. M.
Register
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Banerjee, S. K.
Taniguchi, T.
Watanabe, K.
DB Label
Database : IEEE Xplore Digital Library
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Full Text (IEEE)
5
Multi-barrier inter-layer tunnel field-effect transistor
회의자료
issue
2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) Electron Devices Meeting (IEDM), 2016 IEEE International. :30.4.1-30.4.4 Dec, 2016
Author
Prasad, N.
Mou, Xuehao
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Banerjee, S. K.
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Database : IEEE Xplore Digital Library
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Full Text (IEEE)
6
Semiclassical Monte Carlo Analysis of Graphene FETs
학술저널
issue
IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 59(4):976-982 Apr, 2012
Author
David, J. K.
Register
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Banerjee, S. K.
DB Label
Database : IEEE Xplore Digital Library
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Full Text (IEEE)
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조회 - Impact Factor (JCR)
7
on-State Performance Enhancement and Channel-Direction-Dependent Performance of a Biaxial Compressive Strained $ \hbox{Si}_{0.5}\hbox{Ge}_{0.5}$ Quantum-Well pMOSFET Along $ \langle \hbox{110} \rangle$ and $\langle \hbox{100} \rangle$ Channel Directions
학술저널
issue
IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 58(4):985-995 Apr, 2011
Author
Lee, S.-H.
Nainani, A.
Oh, J.
Jeon, K.
Kirsch, P. D.
Majhi, P.
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Jammy, R.
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Database : IEEE Xplore Digital Library
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조회 - Impact Factor (JCR)
8
Quantum Transport Simulation of Strain and Orientation Effects in Sub-20 nm Silicon-on-Insulator FinFETs
학술저널
issue
IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 58(1):4-10 Jan, 2011
Author
Liu, K.-M.
Register
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Banerjee, S. K.
DB Label
Database : IEEE Xplore Digital Library
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조회 - Impact Factor (JCR)
9
Graphene for CMOS and Beyond CMOS Applications
학술저널
issue
Proceedings of the IEEE Proc. IEEE Proceedings of the IEEE. 98(12):2032-2046 Dec, 2010
Author
Banerjee, S. K.
Register
,
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Tutuc, E.
Basu, D.
Kim, S.
Reddy, D.
MacDonald, A. H.
DB Label
Database : IEEE Xplore Digital Library
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조회 - Impact Factor (JCR)
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Analytical Model of Short-Channel Double-Gate JFETs
학술저널
issue
IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 57(8):1846-1855 Aug, 2010
Author
Chang, J.
Kapoor, A. K.
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Banerjee, S. K.
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Database : IEEE Xplore Digital Library
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