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A Comparative Analysis of Drain Current in Nanoscale MOSFET variants valid for Low Power Digital Applications
회의자료
issue
2024 International Conference on Integrated Circuits and Communication Systems (ICICACS) Integrated Circuits and Communication Systems (ICICACS), 2024 International Conference on. :1-5 Feb, 2024
Author
Naik, Lata
Umrani, Nidhi
Mandi, Manjunath
Murnal
,
Vyas
DB Label
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Full Text (IEEE)
2
An Analytic Potential Based Velocity Saturated Drain Current, Charge and Capacitance Model for Short Channel Symmetric Double Gate MOSFETs
전자책
issue
Advances in Electrical and Computer Technologies : Select Proceedings of ICAECT 2019
. 672:723-735
Author
Murnal
,
Vyas
Aff37
Vijaya, C.
Aff37
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Database : Springer Nature eBooks
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3
An optimized nanoscale Quasi-Ballistic DG MOSFET model with diffusive carrier scattering dependency
학술저널
issue
INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS
; JUN 3 2023, 110 6, p1101-p1120, 20p.
Author
Murnal
,
Vyas
R.
Vijaya, C.
DB Label
Database : Science Citation Index Expanded
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4
A quasi-ballistic drain current, charge and capacitance model with positional carrier scattering dependency valid for symmetric DG MOSFETs in nanoscale regime
학술저널
issue
Nano Convergence
. 6(1)
Author
Murnal
,
Vyas
R.
Aff1
Vijaya, C.
Aff1
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Database : Springer Nature Journals
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