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ieee transactions on power electronics, power electronics, ieee transactions on, ieee trans. power electron.
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In Situ Observation of Circuit Behavior Using Pump-Probe Laser Voltage Probe Technique
학술저널
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IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 71(4):654-662 Apr, 2024
Author
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Smith, N.
Kohl, I.
Meisenheimer, T.
Atli, A.O.
Mohan, P.
Mai, K.
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Evidence of Interface Trap Build-Up in Irradiated 14-nm Bulk FinFET Technologies
학술저널
issue
IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 68(5):671-676 May, 2021
Author
Privat, A.
Barnaby, H.J.
Spear, M.
Esposito, M.
Manuel, J.E.
Clark, L.
Brunhaver, J.
Duvnjak, A.
Jokai, R.
Holbert, K.E.
McLain, M.L.
Marinella, M.J.
King
,
M.P
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조회 - Impact Factor (JCR)
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Investigating Heavy-Ion Effects on 14-nm Process FinFETs: Displacement Damage Versus Total Ionizing Dose
학술저널
issue
IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 68(5):724-732 May, 2021
Author
Esposito, M.G.
Manuel, J.E.
Privat, A.
Xiao, T.P.
Garland, D.
Bielejec, E.
Vizkelethy, G.
Dickerson, J.
Brunhaver, J.
Talin, A.A.
Ashby, D.
King
,
M.P
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Barnaby, H.
Mclain, M.
Marinella, M.J.
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조회 - Impact Factor (JCR)
4
Radiation Response of AlGaN-Channel HEMTs
학술저널
issue
IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 66(1):344-351 Jan, 2019
Author
Martinez, M.J.
King
,
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Baca, A.G.
Allerman, A.A.
Armstrong, A.A.
Klein, B.A.
Douglas, E.A.
Kaplar, R.J.
Swanson, S.E.
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Vertical GaN Power Diodes With a Bilayer Edge Termination
학술저널
issue
IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 63(1):419-425 Jan, 2016
Author
Dickerson, J.R.
Allerman, A.A.
Bryant, B.N.
Fischer, A.J.
King
,
M.P
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Moseley, M.W.
Armstrong, A.M.
Kaplar, R.J.
Kizilyalli, I.C.
Aktas, O.
Wierer, J.J.
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6
Ultrafast Reverse Recovery Time Measurement for Wide-Bandgap Diodes
학술저널
issue
IEEE Transactions on Power Electronics IEEE Trans. Power Electron. Power Electronics, IEEE Transactions on. 32(12):9333-9341 Dec, 2017
Author
Mauch, D.L.
Zutavern, F.J.
Delhotal, J.J.
King
,
M.P
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Neely, J.C.
Kizilyalli, I.C.
Kaplar, R.J.
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Imaging the Impact of Proton Irradiation on Edge Terminations in Vertical GaN PIN Diodes
학술저널
issue
IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 38(7):945-948 Jul, 2017
Author
Collins, K.C.
King
,
M.P
.
Dickerson, J.R.
Vizkelethy, G.
Armstrong, A.M.
Fischer, A.J.
Allerman, A.A.
Kaplar, R.J.
Aktas, O.
Kizilyalli, I.C.
Talin, A.A.
Leonard, F.
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Analysis of TID Process, Geometry, and Bias Condition Dependence in 14-nm FinFETs and Implications for RF and SRAM Performance
학술저널
issue
IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 64(1):285-292 Jan, 2017
Author
King
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Wu, X.
Eller, M.
Samavedam, S.
Shaneyfelt, M.R.
Silva, A.I.
Draper, B.L.
Rice, W.C.
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Felix, J.A.
Zhang, E.X.
Haeffner, T.D.
Ball, D.R.
Shetler, K.J.
Alles, M.L.
Kauppila, J.S.
Massengill, L.W.
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In-Operando Spatial Imaging of Edge Termination Electric Fields in GaN Vertical p-n Junction Diodes
학술저널
issue
IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 37(6):766-769 Jun, 2016
Author
Leonard, F.
Dickerson, J.R.
King
,
M.P
.
Armstrong, A.M.
Fischer, A.J.
Allerman, A.A.
Kaplar, R.J.
Talin, A.A.
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Nuclear microprobe investigation of the effects of ionization and displacement damage in vertical, high voltage GaN diodes
학술저널
issue
In
Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B
1 August 2017 404:264-268
Author
Vizkelethy, G.
King
,
M.P
.
Aktas, O.
Kizilyalli, I.C.
Kaplar, R.J.
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