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mineralogische und petrographische mitteilungen
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. 14:367-377
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Oxide and Interface Charge Generation by Electron Injection in MOS Devices
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Insulating Films on Semiconductors : Proceedings of the Second International Conference, INFOS 81, Erlangen, Fed. Rep. of Germany, April 27–29, 1981
. 7:104-110
Author
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DiMaria, D. J.
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Interface and Bulk Trapping Centers in Low Temperature Ion-Beam Sputtered Silicon Dioxide Films
전자책
issue
The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface
. :529-536
Author
Zvanut, M. E.
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Feigl
,
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. J.
Aff4
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4
Current-Induced Charges and Hydrogen Species Distributions in MOS Silicon Dioxide Films
전자책
issue
The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface
. :177-186
Author
Gale, R.
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Chew, H.
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. J.
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Magee, C. W.
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5
Observation of the Neutral Oxygen Vacancy in Silicon Dioxide
전자책
issue
The Physics and Technology of Amorphous SiO2
. :187-192
Author
Zvanut, M. E.
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. J.
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Fowler, W. B.
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Rudra, J. K.
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Analyse
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Chemiker-Taschenbuch : Ein Hilfsbuch für Chemiker, Physiker, Mineralogen, Hüttenmänner, Industrielle, Mediziner und Pharmazeuten
. :412-532
Author
Geilmann, W.
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Positive charge generation in metal-oxide-semiconductor capacitors.
학술저널
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Journal of Applied Physics
. 2/15/1991, Vol. 69 Issue 4, p2512. 10p. 1 Diagram, 2 Charts, 9 Graphs.
Author
Trombetta, L. P.
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Analysis of the feedback voltage during constant current avalanche hole injection experiments.
학술저널
issue
Journal of Applied Physics; 9/1/1987, Vol. 62 Issue 5, p1913, 7p, 1 Diagram, 1 Chart, 8 Graphs
Author
Trombetta, L. P.
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9
Hydrogen migration under avalanche injection of electrons in Si metal-oxide-semiconductor capacitors.
학술저널
issue
Journal of Applied Physics; Dec1983, Vol. 54 Issue 12, p6938-6942, 5p
Author
Gale, R.
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The effects of water on oxide and interface trapped charge generation in thermal SiO2 films.
학술저널
issue
Journal of Applied Physics; Sep1981, Vol. 52 Issue 9, p5665-5682, 18p
Author
Feigl
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