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간행물
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Negative thermal quenching in optically pumped GaAsBi–GaAs heterojunction p–i–n diode
학술저널
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Applied Physics A: Materials Science & Processing
. 129(8)
Author
Sreerag, S.
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Sharma, Akant Sagar
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조회 - Impact Factor (JCR)
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Effect of bismuth incorporation on recombination mechanisms in GaAsBi/GaAs heterostructures
학술저널
issue
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
. 34(6)
Author
Batool, Z.
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Hild, K.
Marko, I.
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Lu, X.
Tiedje, T.
Sweeney, S.
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Aff2, Aff6, IDs10854023098390_cor8
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조회 - Impact Factor (JCR)
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Effect of MBE growth conditions on GaAsBi photoluminescence lineshape and localised state filling
학술저널
issue
Scientific Reports
. 12(1)
Author
Bailey, N.
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Rockett, T. B. O.
Flores, S.
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Analysis of forward error correction schemes for colour shift keying modulation
회의자료
issue
2015 IEEE 26th Annual International Symposium on Personal, Indoor, and Mobile Radio Communications (PIMRC) Personal, Indoor, and Mobile Radio Communications (PIMRC), 2015 IEEE 26th Annual International Symposium on. :575-579 Aug, 2015
Author
Singh,
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David
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Higher Order Colour Shift Keying Modulation Formats for Visible Light Communications
회의자료
issue
2015 IEEE 81st Vehicular Technology Conference (VTC Spring) Vehicular Technology Conference (VTC Spring), 2015 IEEE 81st. :1-5 May, 2015
Author
Singh,
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O'Farrell, T.
David
,
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P
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R
.
DB Label
Database : IEEE Xplore Digital Library
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Full Text (IEEE)
6
Photoluminescence from localized states in GaAsBi epilayers
회의자료
issue
2014 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics (ICSE2014) Semiconductor Electronics (ICSE), 2014 IEEE International Conference on. :354-357 Aug, 2014
Author
Mohmad, A.
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Majlis, B. Y.
Bastiman, F.
Hunter, C.
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Ng,
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Full Text (IEEE)
7
The effect of growth conditions to the optical quality of GaAsBi alloy
회의자료
issue
2015 IEEE Regional Symposium on Micro and Nanoelectronics (RSM) Micro and Nanoelectronics (RSM), 2015 IEEE Regional Symposium on. :1-3 Aug, 2015
Author
Mohmad, A.
R
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Majlis, B. Y.
Bastiman, F.
Richards,
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David
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Full Text (IEEE)
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Ionization coefficients and excess noise characteristics of AlInAsSb on an InP substrate
학술저널
issue
APPLIED PHYSICS LETTERS
; SEP 25 2023, 123 13, p131110 6p.
Author
Ronningen, T.
J
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Kodati, S. H.
Jin, X.
Lee, S.
Jung, H.
Tao, X.
Lewis, H. I.
J
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Schwartz, M.
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Martyniuk, P.
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Krishna, S.
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Database : Science Citation Index Expanded
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조회 - Impact Factor (JCR)
9
InGaAsN as absorber in APDs for 1.3 micron wavelength applications
회의자료
issue
2010 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) Indium Phosphide & Related Materials (IPRM), 2010 International Conference on. :1-4 May, 2010
Author
Ng,
J
. S.
Tan, S. L.
Goh, Y. L.
Tan, C. H.
David
,
J
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Allam,
J
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Sweeney, S.
J
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Adams, A.
R
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Full Text (IEEE)
10
Low excess noise APD with detection capabilities above 2 microns
회의자료
issue
2010 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) Indium Phosphide & Related Materials (IPRM), 2010 International Conference on. :1-4 May, 2010
Author
Goh, Y. L.
Ong, D. S. G.
Zhang, S.
Ng,
J
. S.
Tan, C. H.
David
,
J
.
P
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R
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Database : IEEE Xplore Digital Library
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Full Text (IEEE)
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